当一束高能电子轰击物质表面时,被激发的区域将产生工次电子、俄歇电子、背散射G2100-1X1SF1电子、透射电子和特征X射线,以及在可见、紫外、红外区域产生的电磁辐射。利用高能电子和物质的+H△作用,能够获取被测样罚|本身的各种物埋、化学性质的信启、。扪描电子显微镜1E是根据高能电子和物质相互作用时不同信息的产生机理,采用不同的信息检测器采集信启、,得到物质的微观形貌特征及物质化学成分信息。电子显微镜可配置各种功能不同的探测器组件,以满足特殊的应用需求。扫描电子显微镜检查就是基于以上工作原理对电子元器件芯片表面进行检测的。

   1.术语和定义

   l)阻挡/附着金属层

   阻挡/附着金属层是指多层金属化系统中位于下层的金属层,其作用是提供与硅及二氧化硅表面间的良好(机械)附着接触;或作为阻挡层,阻止金属向某些区域的不希望的扩散,例如,防止铝向接触窗口内扩散。

   2)横截面

   横截面是指与电流流动方向垂直并扩展至金属条整个条宽范围的一个设想平面,如图4-119所示。对于不平整的表面上与电流方向不垂直的金属条(如位于钝化台阶、跨接区、鸟嘴等之上),为计算横截面积减少的情况,应将其投影至横截平面。

   注1 采用横截面的概念有双重目的:为横截面积的汁算提供一种方便而统一的方法;用于保证不平整表面上的金属层横截面积的减少不超过50%(适用时为30%)。

   2 横截面积如图中虚线所示。

   3 所有不与电流方向垂直的钝化层台阶必须投影至勹电流方向垂直的横截面,计算横截面积。

   3)破坏性SEM

   破坏性SEM是指采用了特定的设备参数和技术,收范围的辐射损伤或污染。

    4)方向边

   使被检查的半导体结构受到超出可接 典型的方向边(见图4-12o)为矩形接触窗口的几条边。在该窗口上淀积有金属层。器件工作时,电流将流入、穿过或流出接触窗口。应指出,接触的几何形和/或需考虑的位置会发生变化。如果这样的话,应相应地修正方向边的概念。