半导体器件和电路制造技术飞速发展，器件特征尺寸不断下降，而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。对于半导体失效分析（FA）而言，微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是一种相当有用且效率高的分析工具。微光显微镜其高灵敏度的侦测能力，可侦测到半导体组件中电子－电洞对再结合时所发射出来的光线，能侦测到的波长约在350nm ~ 1100nm 左右。它可以广泛的应用于侦测IC 中各种组件缺陷所产生的漏电流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。

EMMI的工作原理图如下：

由于加速载流子发光，即在局部的强场作用下产生的高速载流子与晶格原子发生碰撞离化，发射出光子，通常其光谱在可见光范围内有一个宽的分布（ 650-1050 nm ），采用深度制冷的CCD相机可以拍摄到此现象。