穿透式电子显微镜（Transmission Electron Microscopy：TEM）

A.TEM简介自1930年代*台商用电子显微镜于英国建立以来，由于影像解析度受限于所供输电子能量，随着高压设备之成熟技术发展与建立，穿透式电子显微镜不断地进步与突破。1938年，穿透式电子显微镜，解析度约20~30埃，到1963年，解析度提升至2~3埃；到目前为止，一百万电子伏特（eV）以上之超高电压穿透式电子显微镜也已问世（HRTEM）。因此原子级的影像解析度早已不再是遥不可及之梦想。 对于近十年来迅速发展的半导体制程，以及奈米尺度的先进材料，材料的研究已进入原子尺度大小，为了观察如此微小的尺度，新的研究工具也陆续出现。在这些新的研究工具当中，穿透式电子显微镜（Transmission Electron Microscopy；TEM ）可提供材料内部的形态、晶体原子结构…由于TEM具备高解像能力，比一般影像观察及分析工具优越许多，而广泛地用于材料分析。表一为比较常用显微镜的解析度与放大倍率。

附注：解析度与波长的关系式Raleigh‘s Criterion：解析度 S＝0.61l/（n×sinq）＝0.61l/NA